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　　他被指控于2018年至2019年期间，“以不当手法获取并使用三星电子半导体工厂基本工程数据、工艺流程图、设计图等信息”。涉案技术为用于制造30纳米以下动态随机存取存储器（DRAM）和闪存芯片（NAND）的制程工艺，属于国家关键技术。